MOSFET circuito de movimentação portão

E

ee01akk

Guest
Oi, eu estou tentando encontrar um MOSFET design de driver portão que eu posso usar em simulação PSpice. Eles são disponíveis apenas como IC, ou alguém tem um projeto específico? Eu estou tentando usar o MOSFET como um interruptor em um conversor boost CC-CC. Obrigado por qualquer ajuda que você pode oferecer.
 
Um circuito comum é a utilização de séries de portões HC. Uma forma consiste em usar o 74HC49 ou 50 com todas as seis portas em paralelo. Isto irá fornecer-lhe cerca de 1 unidade A corrente de pico para carregar e descarregar os portões MOSFET. Isso só funciona no mundo real se todas as portas estão no mesmo pacote IC para que seu tempo de todos os parâmetros de jogo. Você também pode usar a fonte de tensão controlada por tensão, que tem capacidade de produção infinita atual. Coloque um resistor poucos entre a saída e os seus portões para limitar a corrente. Isso provavelmente vai dar-lhe um resultado de simulação excessivamente idealizada por causa da idealizada tempo de subida portão da unidade.
 
normalmente Drivers Mos Portão são simuladas por subcircuitos e tensão de fontes de tensão controladas + um dealy pouco (pode ser produzido por RC e e ideal e porta) para simulação de tempo morto. u pode produzir tis subcircuito-se em pspice ou outras especiarias e usar folha de dados do driver para impedância de saída adequada ou dealy de theMGD. também alguns fabricantes como intersil fornecer esses subcircuitos para seus produtos. MELHOR!
 
Oi .. Você poderia usar os drivers MOSFET que são especificamente de design para fazer o trabalho. Linear techbology tem um muito bom para N ou canal P FETs. linear.com International Rectifier tem uma muito boa também .. Faz o seu trabalho mais fácil e confiável de um produto acabado. Atenciosamente
 
: D Existem muitos fabricantes de drivers MOSFET Mas dirigir um Mos poder é um assunto complicado os pontos a serem considerados são a capacitância de entrada (Ciss), a freqüência ea carga Portão Total (Qc) e da potência do controlador IC Visite www.micrel.com e Elantec (tomado por Intersil) se a sua freqüência de comutação é abaixo de 2000 Hz que não exigem um driver MOSFET dedicado, um motorista de pólo Totem usando um NPN e um transistor PNP é suficiente para que modelos Spice já estão disponíveis: roll:
 
Posso entender sua escolha em usar um design MOSFET. Você pode ter problemas, embora como o MOSFET muda muito rapidamente e podem produzir ruído (spikey). Descobri que um comutador de transistor bipolar especialy onde indutores são utilizados é uma opção de beter. Barrybear
 
Lembre-se, adicione um resistor de dumping 2-5 Ohm em cada portão MOSFET
 
preciso de ajuda! Estou dirigindo meu MOSFET em 290KHZ. Usando IR2110 como meu motorista portão. Em baixa frequência, a minha forma de onda lado de alta parece ser bom .. que é uma onda quadrada. Mas, como o aumento da freqüência, a minha forma de onda lado de alta começar a olhar distorcido. Por que é assim? há uma maneira de resolver este problema? Outro problema é que eu estou usando a tensão de alimentação de 15V. Como eu mudar o meu MOSFET em 290KHz, meu motorista portão se aquece-se facilmente. Em menos de 10 minutos, o IC se torna muito quente e eu tenho que desligar o meu circuito. Existe alguma maneira de reduzir a temperatura? Eu não posso usar um dissipador de calor coz, é um chip IC.
 
Oi, Em altas freqüências a capacitância Mosfet do portão se tornar significativo. Costumamos usar IGBT nesse tipo de freqüências de chaveamento elevadas. Espero que isso ajude você. Tchau.
 
suspiro .. eu já construir o circuito .. não há maneira de me mudar para IBGT agora .. existe alguma maneira eu posso reduzir o efeito da capacitância da porta? Se é devido a capacitância porta do MOSFET, como é que ela afeta apenas o meu lado mais alto? não há qualquer efeito sobre o meu lado de baixo. [Size = 2] [color = # 999999] Adicionado após 31 segundos: [/color] [/size] suspiro .. eu já construir o circuito .. não há maneira de me mudar para IGBT agora .. existe alguma maneira eu posso reduzir o efeito da capacitância da porta? Se é devido a capacitância porta do MOSFET, como é que ela afeta apenas o meu lado mais alto? não há qualquer efeito sobre o meu lado de baixo.
 
Oi, Tente usar uma freqüência mais baixa, em primeiro lugar, algo até 100kHz é muito bem com mosfets. Boa sorte.
 
Que tipo de resistência de porta que você está usando. O consumo de energia do FETdriver depende, em grande parte, a quantidade de corrente que você dirige com a porta. Se você sabe que a carga do seu portão FET é que você pode facilmente calcular a ascensão e queda de tempo e ver se você pode aumentar a resistência do portão. Você está usando um IGBT ou MOSFET? Não IGBT muitos gostam de ser ligado a um tal freqüências.
 
eu não posso reduzir a minha frequência como a ponte da metade (i usando MOSFET para trabalhar como meia ponte) é se conectar a uma carga que requer 290KHZ. Usando um resistor de 22ohm portão. como é que a capacitância da porta afetar meu lado alto do motorista em alta freqüência?
 
Oi, como é a aparência do highside como em seu circuito? você está usando um driuver específico? Também tente usar um resistor de 10 ohms no portão. Tchau.
 
Eu não sou capaz de ver a sua imagem devido a alguma limitação pontos. Eu só se inscreveu para esta formum há poucos dias. Uma boa maneira de descobrir o que está acontecendo com um FET é medir a tensão da fonte Gate. No highside este tem de ser feito por uma medição diferencial. Eu costumo usar um "plug batoteiro" a flutuar o escopo. Você também precisa de um escopo bastante rápido desde a ascensão e queda vezes estão na faixa de 100ns. O disipation poder do controlador pode ser calculada da seguinte forma: em cada transição do controlador estabelece uma corrente de cerca de Valimentação / Rg para a duração do tempo de comutação. A energia por ciclo é então: ESW = Valimentação * Valimentação / Rg * tsw Assumindo alguns números: ESW = 12V * 12V/22Ohm * 100ns = 6.54e-7J A perda de potência é então: Ploss = ESW * FSW * 2 (uma vez que há são duas transições por ciclo) Ploss = 350mW A parte inteira vai ver duas vezes a perda rougly 0,7 W, o que é muito pouco para um IC pequeno assim. Uma coisa que eu fiz no passado é cola um pequeno pedaço de cobre em cima do IC. Isso servidores como um dissipador de calor pequeno.
 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top