Qualquer material a discutir o processo de variação do CMOS

[OMEsystem]

Plaease sugerir os materiais que discute o processo de variação e design
para a produção em massa em tecnologia CMOS, especialmente em profundidade escala sub-mícron.
Qualquer realated temas é bem-vinda.

Obrigado,

 

[sankudey]

Oi ... theoritical uma discussão existe em quase todos os livros analógicos desenho .... algumas das seguintes pode ser ajudar a te ...Livros:1.Razavi .... Analog Design (CMOS)

2.Gray-Meyer: Quatro Autor -> Analógico Design

3.Johns-Martin: Analog Design:

4.Baker: CMOSAlguns Paers:1.IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL.38, NO.3 de março de 2003: Entendimento MOSFET Mismatch para Analog Design: Patrick G. Drennan, Membro, IEEE, e Colin C. MCANDREW, Membro Sênior, IEEE

2.IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL.40, NO.6 de junho de 2005; Dispositivo Mismatch tradeoffs e na concepção de Circuitos Analógicos; Peter R. Kinget, Membro Sênior, IEEE

3.IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL.40, NO.8 de agosto de 2005; Um Modelo Compacto do MOSFET Mismatch Circuito de Design; Carlos Galup-Montoro, membro, IEEE, Márcio C. Schneider, membro, IEEE, et al;

4.IEEEJOURNAL DOS SÓLIDOS-STATECIRCUITS, vol.SC-21, NO.6 de dezembro 1986; Caracterização e Modelagem de Mismatch em Transistores MOS para Precision Analog Design; KADABA R. LAKSHMIKUMAR, MEMBRO, IEEE, Robert A. HADAWAY, e milhas A. COPELAND, Membro Sénior, IEEE

5.IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL.21, NO.2.Fevereiro de 1992; modelagem estatística do Dispositivo Mismatch MOS Integrated Circuits; Christopher Michael e Mohammed Ismail, Membro Sênior, IEEE

6.Impacto do transistor desfasamento na velocidade-precisão-power trade-off de
circuitos analógicos CMOS
Peter Kinget e Michiel Steyaert
Katholieke Universiteit Leuven, ESAT-Micas
KARD.Mercierlaan 94, B-3001 Heverlee, Bélgica

7.IEEE Transactions on CIRCUITOS E SISTEMAS II: Analógico e Digital Signal Processing, vol.46, NO.7, julho 1999 937
Transações Briefs
Expressões analíticas para Distorção harmónica
em baixas freqüências, devido ao dispositivo Mismatch
em CMOS Atual Espelhos
Erik Bruun

Você também pode referir-se a disposição alguns livros como seguir ....
http://www.edaboard.com/viewtopic.php?t=90857&highlight=hastingsTodos os livros são availbe neste tabuleiro.A maioria dos trabalhos assim .... procura deles .... se você não encontrar me avise ....Espero que ajude ...sankudey

 

[OMEsystem]

Obrigado pela sua resposta, que você recomendaria dedicando sobre o papel
o processo de variação dos sub-micron CMOS e sua melhoria yied pelo design?

Obrigado,

 

[sankudey]

Ei,
Os documentos acima referidos e em particular o livro é adequado para tal .... alguns outros são indicados abaixo ...

1.Robust concepção de baixa potência circuitos integrados analógicos CMOS
Tarim, TB; Ismail, M.;
Circuitos, dispositivos e sistemas, IEE Proceedings [ver também IEE Proceedings G-circuitos, dispositivos e sistemas]
Volume 148, Issue 4, Ago. 2001 Page (s): 197 - 204
Digital Object Identifier 10.1049/ip-cds: 20010340

Resumo: Como característica tamanhos mover para a profundidade varia submicron e tensões de alimentação de energia sejam reduzidas, o efeito de ambos os dispositivos desencontro e inter-morrem processo variações sobre o desempenho ea confiabilidade de circuitos integrados analógicos é ampliada.O stati .....

2.A influência e modelagem do processo de variação e desencontro dispositivo para analógico / rf circuito design
Yuhua Cheng;
Dispositivos, Circuitos e Sistemas, 2002.Proceedings of the IEEE International Caracas Quarta Conferência sobre
17-19 de Abril de 2002 Page (s): D046-1 - D046-8
Digital Object Identifier 10.1109/ICCDCS.2002.1004068

Resumo: A influência da variação local processo e dispositivo para o desfasamento características eléctricas de resistores, capacitores e MOSFETs for revista.A discussão é principalmente sobre o dispositivo mismatch como ela se torna mais e mais importante em analógico de .....

3.Técnicas para on-chip Processar Voltagem e Temperatura Detecção e Remunerações
Khan, GQ; Sidarta, GK; Tripathi, D.; Wadhwa, SK; Misri, K.;
VLSI Design, 2006.Realizado em conjunto com a 5a Conferência Internacional sobre Sistemas Integrados e Design., 19th International Conference on
03/07 Jan. 2006 Page (s): 581 - 586
Digital Object Identifier 10.1109/VLSID.2006.155

Resumo: Este trabalho apresenta técnicas para detectar processo, tensão e temperatura (PVT) variações de uma pastilha de circuito integrado e bolacha.Técnicas convencionais são limitados a detecção de variações em que o processo dispositivos MOS (NMOS e OGP)
movimentar i. ....

4.Post silício potência / otimização desempenho, na presença de processo utilizando variações individuais bem adaptável corpo polarização (IWABB)
Gregg, J.; Chen, TW;
Quality Electronic Design, 2004.Proceedings.5th International Symposium on
2004 Page (s): 453 - 458
Digital Object Identifier 10.1109/ISQED.2004.1283715

Resumo: Continuação escamação de silício tecnologias para além do processo de 90nm nó irá enfrentar problemas devido a variações no processo de morrer.A crescente importância relativa dentro do processo de morrer variações provocará poder distribuições
de frequência a aumentar, assim .....

5.Ótimo corpo viés de seleção fugas melhoria de processos e tecnologia compensação através de diferentes gerações
Neau, C.; Roy, K.;
Low Power Electronics and Design, 2003.ISLPED'03.Proceedings of the 2003 International Symposium on
25-27 Ago. 2003 Page (s): 116 - 121
Digital Object Identifier 10.1109/LPE.2003.1231846

Resumo: Apresentamos técnicas para determinar o melhor corpo viés (avanço ou retrocesso) para minimizar fugas actual processo e compensar as variações nas escaladas CMOS tecnologias.Um circuito off rotas sub-limiar fugas com faixa-a-banda tunneling fuga em .....

Statistical methods for the estimation of process variation effects on circuit operation

6.

Métodos estatísticos para a estimativa dos efeitos sobre o processo de variação circuito operação
Mutlu, AA; Rahman, M.;
Electronics Packaging Manufacturing, IEEE Transactions on [ver também Componentes, Embalagem e Manufacturing Technology, Part C: Manufacturing, IEEE Transactions on]
Volume 28, Issue 4, Oct. 2005 Page (s): 364 - 375
Digital Object Identifier 10.1109/TEPM.2005.856534

Resumo: Neste trabalho, uma tecnologia concepção assistida por computador (TCAD) impulsionado método de previsão precisa do desempenho propagação de circuitos integrados, devido a variações processo é apresentado.A metodologia inicia-se com o desenvolvimento do processo nominal .....ESPERANÇA iria ajudar ....sankudey