Erro de layout no GND e Vss

[Laurenz88]

Olá Profissionais, na minha concepção, eu tenho chão, Vdda e Fornecimentos VSS, e eu acho difícil de limpar os erros LVS desde gnd e vss estão a ser lido como um em cdesigner e são considerados em curto pois em minha opamp em massa os NMOS dos e fontes são conncted à alimentação negativa vss e em massa os NMOS 'e fontes de minha porta de transmissão está ligado à terra ... i fez o anel de guarda mesmo para ambos com nomes diferentes de pino, mas ainda erro ocorreu e é considerado curto pelo cdesigner .. Eu acho difícil para o layout deste especificações .... Alguém pode por favor me diga como resolver esse tipo de problema .... OBRIGADO você ....

 

[steinar96]

Se GND e VSS são considerados como o mesmo no programa que você deve renomear uma rede desde GND e VSS são nada mais do que nomes de rede.

 

[Laurenz88]

meu problema é como o layout do anel de guarda para um NMOS que é a fonte eo seu volume e está ligado à alimentação negativa vss = -1,65. Ocorreu um erro quando eu tento verificar as LVS e é o gnd eo vss ... Eu fiz o anel de guarda mesmo para ambos os NMOS com diff, metal1, contatos e um PIMP implante e eu também colocar nomes diferentes, ou seja pino gnd para os NMOS conncted ao chão e vss para NMOS conectados a vss .. mas ainda mesmo erro ocorreu .... Por favor, ajude ...

 

[dgnani]

Um anel de difusão p-implantado não vai isolar um corpo NFET de corpos NFET outros, eles ainda serão soft-conectado. A única maneira de ter NFET com tensão de corpo diferente é a utilização de n-profunda bem para criar uma região de p-assim isolado

 

[Teddy]

No caso de você não quer encurtar-los (ou seja, GND = 0V e VSS =-1.65V) você terá que usar dispositivos em nwell profunda - que é de 5 dispositivo terminal. Nesse caso você tem que mudar tanto esquemático e layout.

 

[dgnani]

No caso de você não quer encurtar-los (ou seja, GND = 0V e VSS =-1.65V) você terá que usar dispositivos em nwell profunda - que é de 5 dispositivo terminal. Nesse caso você tem que mudar tanto esquemático e layout

A NFET profundamente nwell é geralmente um dispositivo 6-terminal:. Você adicionar isolamento substrato bem viés e global