conversor Freqüência: IGBT perguntas

J

JStuffer

Guest
Olá,
estou projetando um conversor freqüência e têm algumas perguntas sobre o que é H-ponte parte.Vai ser 1-fase 230V conversor, PWMed onda senoidal com freqüência de saída entre 0 a dizer 500Hz, modulação frequência sobre 100kHz.O alto potencial ferroviário acaba por ser 325V.A potência não está ainda determinada.

Agora,
estou a planear fazer a alta lado semicondutores mudar apenas com a baixa freqüência de saída e as baixas
do lado aqueles que adicionalmente o
de modulação por largura de pulso.I'm going to use IRG4PC40W que é rápido (máx. 150kHz duro comutação) IGBT para a baixa
do lado mais fraco e mais lento & IRG4BC20U (máx. 40kHz (!)) Para a alta lado.

Pergunto-me se você puder me ajudar a responder algumas perguntas:
1) Quando a baixa
do lado IGBT muda em tão alta freqüência e os correspondentes alta é detido conduzindo um lado, será que é mais lenta mudança da capacidade de impacto rápido correntes ou será que só pass-through como é significou para?
2) é a desejada modulação de frequência 100kHz um valor razoável?
3) Quando a onda senoidal para o sinal PWM que atinge
o pico e os IGBTs são possivelmente condução realizada continuamente para alguns enquanto não vão para a arder na moderada cargas?Não sei como funciona uma IGBT - as fichas fornecem apenas uma bonita grande turn-off SOA.
4) Você poderia prefigurar o produto final
da potência ou é fatores limitantes?Como algo que eu deveria ter em mente, os pontos de estrangulamento e coisas?Os IGBT's são cotados em 600V, 13A para a alta lado, 40A para baixo lateral (actual classificação reduzida para metade em alta temps).
5) ou devo parar tentador destino e comprar (Aaargh $ $ $) mais duas das mais rápidas e mais dura IGBTs?

Estou anexando uma imagem da ponte h-se a minha descrições foram turva ou qualquer coisa

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="Muito Feliz" border="0" />

.Protecção diodos, filtros e tudo vai para os seus lugares apropriados.

Obrigado pelo seu tempo.
John

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Os diodos em um IGBT H-ponte não são apenas protecções diodos.Elas devem ser a conduta supostamente cheio comutação actual PWM em operação.

No outro ponto, o seu regime não se destina PWM permitir 4-quadrante operação, exigida por exemplo, para lidar com a aparente actual de uma carga indutiva.

 
Bem, tem um bom ponto fvm aqui.

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="Muito Feliz" border="0" />O verso-díodos paralelo, devem ser selecionados mais tarde.
Mas a grande falha aqui está no fato de que a alta lateral permanece no mesmo em épocas de baixa lado desliga.No caso de cargas indutivas não há caminho atual de alta-ferroviário através da carga em terra, que é picado pela largura de pulso modulação - mas apenas sobre a parte baixa.E, como a carga é indutiva, ele atira alguns emf correntes no turn-off vezes.Este é um problema, porque o lado está em alta e cria uma malha com o alto-on-transistor e os alto-off's inverter um diodo.Esta corrente é limitada pela tensão cai no semicoductors, algumas resistências parasitárias e por nada mais.
A solução para isto é (espero que
eu não
estou errado aqui) de modular simultaneamente a alta ea baixa lado e espero que estes vão ser um pouco sincronizado

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="Muito Feliz" border="0" />

.A comutação perdas aumentará, assim como a complexidade do circuito.
Suponho que isto responde a minha perguntas anteriores número 1 e 5, já não parece aceitável para a utilização IRG4BC20Us (eu cometi um erro no post anterior, é'20U, não'40U).

Eu ainda preciso um aconselhar em questões 2, 3 e 4, no entanto.Se você tem uma opinião sobre este assunto, não hesite e postar o que vai na sua mente!

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="Muito Feliz" border="0" />Obrigado.

John

 

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