como projetar o circuito do transistor à saturação

[hero0765]

oi: eu quero fazer o transistor em área de saturação. Neste caso, o transistor se comporta como um interruptor. Eu quero decidir os valores de resistência em acordo com os parâmetros da folha de dados de 9013. Mas eu não sei quais os parâmetros que são valiosas para mim caculate os valores de resistência. fig:

 

[elgiovo]

Suponha que [tex] Q [/tex] está em sab Então [tex] V_ {BE} = V_ {\ gamma} [/tex] e [tex] V_ {CE} = V_ {{CE_ sáb}} [/tex]. Agora, suponha que a fita amarela é [tex] 5V [/tex]. Então [tex] V_ {{CE_ sáb}} + R_1 I_c = 5 [/tex] e [tex] V_ {\ gamma} + R_2 i_B = 5 [/tex] Se [tex] Q [/tex] está em sab , então [tex] I_c <\ beta_F i_B [/tex], então [tex] \ frac {5-V_ {{CE_ sáb}}}} {R_1 <\ beta_F \ frac {5-V_ {\ gamma}} { R_2} [/tex]. Agora, suponha que a fita amarela é [tex] 0V [/tex]. Então, por cálculos análogos, [tex] \ frac {5-V_ {{CE_ sáb}}}} {R_1 <- \ beta_F \ frac {V_ {\ gamma}} {R_2} [/tex] Eu acho que isso é muito difícil, já que você precisa de negativo [tex] R_1 [/tex]. [Size = 2] [color = # 999999] Adicionado após 2 horas e 37 minutos: [/color] [/size] Este circuito é um inversor RTL. O valor da produção é (I) [tex] V_ {CC} [/tex], se [tex] 0

 

[hero0765]

Eu quero saber a condição que torna o transistor em saturação de área é o que? wheter aumentar o IB para a corrente sáb, o transistor em área de saturação? mas se a corrente de saída do pino minha micorcontroller de I / O é inferior a 20 mA, e os IB sáb corrente do transistor é mais do que 50mA, como devo fazer?

 

[Audioguru]

Quais são as duas cartas anteriores o número 9013 do transistor? Um 2N3904 tem um máximo a perda de tensão de saturação de 0,2 V quando sua corrente de coletor é 10mA e sua base atual é de 1 mA, mesmo se seu beta é de 100 ou mais. Beta não é utilizado para o cálculo da base atual de transistores saturadas. Se você tem um transistor que precisa de uma base atual de 50mA mas seu controlador micro-pode fornecer 20mA só então usar um transistor darlington que usa uma base muito inferior atual. Ou se você não quer a perda de tensão extra de um transistor Darlington então usar um MOSFET ou um Mosfet de nível lógico.