S
seyyah
Guest
Como podemos determinar que um portão MOSFET empates quanto atuais e escolher um controlador MOSFET adequada?
J
jdhar
Guest
Não é inteiramente certo, mas deve chamar nenhum poder de estática.Se você estiver perguntando sobre o poder estabelecido, quando da mudança, olhar para a capacitância da porta, e você pode obter uma estimativa com i = Cdv / dt, com base no aumento de tempo de seu pulso.
B
batdin
Guest
Se você fala sobre a média atual, em folha TC4422 eu encontrei um gráfico de me ajudar a calcular lo.Para exemplo, se você dirigir 4700pF capacitância porta, em 100kHz a corrente média será de cerca de 18mA.
O max.current é limitada pela resistência de saída do driver.TC4422 é capaz de fornecer 9A corrente de pico.
O max.current é limitada pela resistência de saída do driver.TC4422 é capaz de fornecer 9A corrente de pico.
I
Iouri
Guest
MOSFET dispositivo é de tensão, e é drive by fonte de tensão não Curret como um BJT regular, folha de dados para MOSFET ussually mostra que nível devem estar no portão de 10V ou seja, ou unidade lógica.Também chamada de folha de dados do Ciss capacitância de entrada.que é ussually faz para coincidir com problemas no fornecimento de energia de comutação, depende de quão rápido você deseja conduzir o seu MOSFET, que o circuito de entrada para o IC vai ser diferente.Há algumas notas app nice avalible da Texas Instrument www.ti.com site para TL5001 controlador PWM
Divirta-se
Divirta-se
S
SkyHigh
Guest
seyyah,
Citação:
Como podemos determinar que um portão MOSFET empates quanto atuais e escolher um controlador MOSFET adequada?
Citação:
Como podemos determinar que um portão MOSFET empates quanto atuais e escolher um controlador MOSFET adequada?
V
VVV
Guest
A exigência actual portão é estabelecida pelo designer, com base na velocidade necessária mudança, pois a ação de comutação acontece durante o "plateau" região da tensão da porta.Para encurtar esse tempo, você deve conduzir o portão com a corrente mais altas.O portão de carga associada a esta região é QGD devido ao efeito Miller.Você fornecer essa cobrança pela injeção de uma corrente no portã
tempo de comutação é então TSW = QGD / Ig.Assim, você escolhe Ig baseada na comutação desejado TSW tempo e QGD o MOSFET's.
O tempo de comutação é selecionado com base na freqüência de comutação e as perdas admissíveis de comutação.
Agora, a porta do MOSFET se comporta como um (variável) capacitor.Portanto, o Ig actual só pode ser limitada pela resistência do condutor ou uma resistência externa.Você seleciona que resistor (se externo) tal que
Ig = (Vgmax-Vplateau) / Rg
Vgmax onde unidade é a tensão máxima portão de aplicar e Vplateau é calculado a partir da folha de dados MOSFET para a fuga de corrente real.
Com base nas informações acima, você selecionar um driver de porta adequado (com uma corrente de pico, pelo menos, igual ao Ig) e um resistor externo Rg de limitar essa corrente (se necessário).
Para mais informações, ver nota de aplicação U-118 da UNITRODE (agora TI).http://focus.ti.com/docs/apps/catalog/resources/appnoteabstract.jhtml?abstractName=slua054
A exigência de unidade de média portão (sim, você vai precisar de energia para acionar o MOSFET) é calculado com base no custo total de porta do MOSFET e do portão de tensão máxima aplicada, bem como a freqüência de comutação.Isso é porque a energia que você entregar a capacitância porta quando você ligar o MOSFET está realmente perdido quando você desligá-l efeito líquido é uma perda de energia, comumente referido como a perda da unidade portão.Se você precisar de mais informações, por favor post.
tempo de comutação é então TSW = QGD / Ig.Assim, você escolhe Ig baseada na comutação desejado TSW tempo e QGD o MOSFET's.O tempo de comutação é selecionado com base na freqüência de comutação e as perdas admissíveis de comutação.
Agora, a porta do MOSFET se comporta como um (variável) capacitor.Portanto, o Ig actual só pode ser limitada pela resistência do condutor ou uma resistência externa.Você seleciona que resistor (se externo) tal que
Ig = (Vgmax-Vplateau) / Rg
Vgmax onde unidade é a tensão máxima portão de aplicar e Vplateau é calculado a partir da folha de dados MOSFET para a fuga de corrente real.
Com base nas informações acima, você selecionar um driver de porta adequado (com uma corrente de pico, pelo menos, igual ao Ig) e um resistor externo Rg de limitar essa corrente (se necessário).
Para mais informações, ver nota de aplicação U-118 da UNITRODE (agora TI).http://focus.ti.com/docs/apps/catalog/resources/appnoteabstract.jhtml?abstractName=slua054
A exigência de unidade de média portão (sim, você vai precisar de energia para acionar o MOSFET) é calculado com base no custo total de porta do MOSFET e do portão de tensão máxima aplicada, bem como a freqüência de comutação.Isso é porque a energia que você entregar a capacitância porta quando você ligar o MOSFET está realmente perdido quando você desligá-l
efeito líquido é uma perda de energia, comumente referido como a perda da unidade portão.Se você precisar de mais informações, por favor post.
L
leomecma
Guest
Olhe esta nota de aplicação, é muito útil
http://www.microchip.com/stellent/idcplg?IdcService=SS_GET_PAGE&nodeId=1824&appnote=en012138leomecma
http://www.microchip.com/stellent/idcplg?IdcService=SS_GET_PAGE&nodeId=1824&appnote=en012138leomecma
A
andrew_matiga
Guest
leomecma
Oi, você tem outras boas referências sobre isso?
apropriada para drivers porta MOS PODER?
Eu tenho alguns problemas com meu sinal MOS portão.Eu tenho um longo passo em 6v durante o ton da minha porta, e depois de algum tempo, vai chegar a 10v.Este passo é realmente indesejado e anormais.Eu ainda não sei como removê-lo.
_ Please help
Oi, você tem outras boas referências sobre isso?
apropriada para drivers porta MOS PODER?
Eu tenho alguns problemas com meu sinal MOS portão.Eu tenho um longo passo em 6v durante o ton da minha porta, e depois de algum tempo, vai chegar a 10v.Este passo é realmente indesejado e anormais.Eu ainda não sei como removê-lo.
_ Please help
S
SVHB
Guest
a etapa da tensão de porta é devido ao efeito Miller falou anteriormente neste post.
Este é um erro comum na condução MOSFETs, você não calcular com a capacitância Cgs para determinar o tempo de comutação (e tão atual necessário).A CGD contributs mais para o tempo real de comutação que o CGS.
Ligue o ciclo:
1.Quando o controlador de porta ligada, você começa a carregar a capacitância Cgs, não acontece nada ainda para o Vds até a V do FET é atingido.
2.Quando o Vds do MOSFET começa a mudar (o começo da mudança), você precisa mudar a voltagem na capacitância CGD De Vds sobre o para-Vth.Isto porque Vds = Vgs Vdg (tensão sobre Cgs a tensão Cgd Vds =)
A taxa de Vds descer Só depende de quão rápido você pode descarregar o capacitor CGD-!Essa energia (atual) vem inteiramente de seu circuito de movimentação portão, de modo que o mais atual que você fornecer para o portão, as descargas mais rápido CGD, o mais rápido Vds diminui, e quanto mais rápido a mudança ocorre.
3.Quando a mudança é mais (Vds ~ 0V), você só cobrar Cgs a uma maior tensão.
É por isso que os fabricantes de MOSFETs dar curvas com "portão de carga total, e isso em diferentes níveis Vds, pois os parâmetros são importand Vds e CGD.Uma vez que a CGD é tensão dependia da sua própria, não é geralmente suficiente para usar apenas um único valor de capacitância.
Assim você pode comparar o tempo de comutação com a duração do planalto sobre a tensão da porta.Dobrando o atual, será o dobro da velocidade de comutação.<img src="http://images.elektroda.net/88_1264283191.jpg" border="0" alt="How to determine mosfet gate driver current requirement?" title="Como determinar exigência DRIVER MOSFET gate atual?"/>
Este é um erro comum na condução MOSFETs, você não calcular com a capacitância Cgs para determinar o tempo de comutação (e tão atual necessário).A CGD contributs mais para o tempo real de comutação que o CGS.
Ligue o ciclo:
1.Quando o controlador de porta ligada, você começa a carregar a capacitância Cgs, não acontece nada ainda para o Vds até a V do FET é atingido.
2.Quando o Vds do MOSFET começa a mudar (o começo da mudança), você precisa mudar a voltagem na capacitância CGD De Vds sobre o para-Vth.Isto porque Vds = Vgs Vdg (tensão sobre Cgs a tensão Cgd Vds =)
A taxa de Vds descer Só depende de quão rápido você pode descarregar o capacitor CGD-!Essa energia (atual) vem inteiramente de seu circuito de movimentação portão, de modo que o mais atual que você fornecer para o portão, as descargas mais rápido CGD, o mais rápido Vds diminui, e quanto mais rápido a mudança ocorre.
3.Quando a mudança é mais (Vds ~ 0V), você só cobrar Cgs a uma maior tensão.
É por isso que os fabricantes de MOSFETs dar curvas com "portão de carga total, e isso em diferentes níveis Vds, pois os parâmetros são importand Vds e CGD.Uma vez que a CGD é tensão dependia da sua própria, não é geralmente suficiente para usar apenas um único valor de capacitância.
Assim você pode comparar o tempo de comutação com a duração do planalto sobre a tensão da porta.Dobrando o atual, será o dobro da velocidade de comutação.<img src="http://images.elektroda.net/88_1264283191.jpg" border="0" alt="How to determine mosfet gate driver current requirement?" title="Como determinar exigência DRIVER MOSFET gate atual?"/>
A
andrew_matiga
Guest
Citação:
2.
Quando o Vds do MOSFET começa a mudar (o começo da mudança), você precisa mudar a voltagem na capacitância CGD De Vds sobre o para-Vth.
Isto porque Vds = Vgs Vdg (tensão sobre Cgs a tensão Cgd Vds =)
A taxa de Vds descer Só depende de quão rápido você pode descarregar o capacitor CGD-!
Essa energia (atual) vem inteiramente de seu circuito de movimentação portão, de modo que o mais atual que você fornecer para o portão, as descargas mais rápido CGD, o mais rápido Vds diminui, e quanto mais rápido a mudança ocorre.
2.
Quando o Vds do MOSFET começa a mudar (o começo da mudança), você precisa mudar a voltagem na capacitância CGD De Vds sobre o para-Vth.
Isto porque Vds = Vgs Vdg (tensão sobre Cgs a tensão Cgd Vds =)
A taxa de Vds descer Só depende de quão rápido você pode descarregar o capacitor CGD-!
Essa energia (atual) vem inteiramente de seu circuito de movimentação portão, de modo que o mais atual que você fornecer para o portão, as descargas mais rápido CGD, o mais rápido Vds diminui, e quanto mais rápido a mudança ocorre.