A conexão entre a camada de canais de esgotamento e SCE

S

Sharas

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"O dispositivo com o mais fino de óxido tem uma camada menor depleção de canal e charecteristic canal, portanto, melhor curta-metragem"(Intel Technology Journal Q3'98 / MOS Scaling: Transistor Challenges for the 21st Century, P.3 no arquivo em anexo)

Pode alguém explicar isso para mim?Como o tamanho da camada de depleção canal de influência da SCE?

 

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