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yyliang
Registrado em: 26 de agosto de 2004
Posts: 44
|  23 de dezembro de 2004 5:52 Como conceber mos um switch de alto desempenho? | | |
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| Olá, eu estou projetando um integrador capacitor ligado, mas eu encontrei uma dificuldade no design dos interruptores, parece que não há fuga de corrente da fonte ou do dreno, alguém pode me ajudar? Como posso obter um alto desempenho mos mudar?
Agradecemos antecipadamente. |
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IanP
Registrado em: 05 de outubro de 2004
Posts: 6490
Ajudado: 1542
Local: Costa Oeste
| 23 de dezembro de 2004 6:21 Re: Como criar mos um switch de alto desempenho? | | |
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| Existe alguma razão para que você não pode usar CD4066 switch integrado?
Dentro de você encontrará 4 chaves bilaterais. |
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sunking
Registrado em: 25 de maio de 2004
Posts: 914
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| 23 de dezembro de 2004 6:27 Re: Como criar mos um switch de alto desempenho? | | |
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| que é difícil de fazer.
contacte o de fundição, exigir-lhes também o controle.
E você pode adicionar o parâmetro "L", certifique-se não a menor. |
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xuel
Registrado em: 16 de novembro de 2004
Posts: 397
Ajudado: 11
| 23 de dezembro de 2004 7:28 Re: Como criar mos um switch de alto desempenho? | | |
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| | relação a primeira de W / L deve ser otimizado, então escolher um valor absoluto de suitalbe W e L. Se ainda não poderia satisfazer o requisito, o uso do dispositivo simulado ou adoptar bootstraping ou na parte inferior da placa técnica de amostragem. |
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andy2000a
Registrado em: 18 de julho de 2001
Posts: 767
Ajudado: 7
| 23 de dezembro de 2004 8:07 Re: Como criar mos um switch de alto desempenho? | | |
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| mos mudar para Sample / Hold necessidade de fuga baixo, mos simples como CD4016
é melhor do que CD4066,
mas interruptor CMOS CD4066 têm baixa Rds ..
No projeto de ASIC, você usa "cn sw dummy" reduzir charge_inject & feed_thru relógio
talvez "salvo" -> algum porfessor disse mesmo livro texto, disse
adicionar switch manequim pode reduzir charge_inject
Outro problema é Rds mos e largar em Quinto mos mudar
em alguns volts circuito duplo, como bomba de carga PMOS uso de Hi-entrada v
(vo NMOS = vin-VTN), mas mesmo .. Vin = 2 * vin-v1 ..
Eu simulação encontrar Vo = 6.16v não 3.3v * 2 = 6,6 volts ainda tem queda
CMOS switch eu uso 20/0.5 * 200 .. tamanho
Alguém já tem projeto charge_pump ASIC, Io = 100 mA
você pode me dizer como projetar mos mudar |
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eda4you
Registrado em: 17 de setembro de 2002
Posts: 283
Ajudado: 17
| 11 de janeiro de 2005 15:25 Re: Como criar mos um switch de alto desempenho? | | |
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| | O uso de circuitos diferencial vai ajudar a diminuir injeção de carga. Olhe lieterature básicos como o que o CMOS DESIGN (Razzavi). |
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| 11 de janeiro de 2005 15:25 Anúncios | | |
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yyliang
Registrado em: 26 de agosto de 2004
Posts: 44
| 12 de janeiro de 2005 6:22 Re: Como criar mos um switch de alto desempenho? | | |
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| | Caso o relógio do PMOS e NMOS ser definitivamente fase oposta? |
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andy2000a
Registrado em: 18 de julho de 2001
Posts: 767
Ajudado: 7
| 12 de janeiro de 2005 8:35 Re: Como criar mos um switch de alto desempenho? | | |
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| Eu acho que "eda4foru" significa, algum circuito interruptor uso como
Flash A / D converter SWITCH uso preamp cirucit geralmente usam
caminho do sinal diferencial ..
mas eu problema é mos usar para mudar, circuito charge_pump ..
1.5v bomba -> saída de 5.5V, e usar switch bom reduzir volt_drop & Rds on .. |
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konqueror
Registrado em: 27 de novembro de 2004
Posts: 96
| 15 de janeiro de 2005 10:37 Como conceber mos um switch de alto desempenho? | | |
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| | u pode usar um switch manequim ou um switch portão de transmissão para minimizar a fuga de origem e para o drain.also u switch exigir a resistência ser muito baixa para optimizar o w / l para alternar ratio.clock manequim é um pouco atrasado wrt switch |
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dumbfrog
Registrado em: 17 de julho de 2004
Posts: 192
Ajudado: 4
| 18 de janeiro de 2005 2:41 Re: Como criar mos um switch de alto desempenho? | | |
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| | aumentar o L e otimizar o W |
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zhangjun_qh
Registrado em: 20 de fevereiro de 2003
Posts: 1
Local: China
| 19 de janeiro de 2005 7:19 Como conceber mos um switch de alto desempenho? | | |
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| | Para a concepção analógica IC, você só precisa selecionar topologia da direita, depois base no que há de freqüência de clock e freqüência do sinal é, elaborar uma resolução de tempo razoável, para decidir o parâmetro W e L, em seguida, usar um relógio de inicialização para mudar crítica. Por favor, esqueça switch manequim, não é verdade em alguns casos. |
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mitrobge
Registrado em: 19 de fevereiro de 2005
Posts: 49
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Localização: GRÉCIA
| 16 de março de 2005 23:48 Re: Como criar mos um switch de alto desempenho? | | |
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| | você pode dar alguma informação sobre a eficiência do relógio de bootstrapping (passe-gate) e mudar a granel-source-inclinado para a frente de polarização na 0.12u tecnologia? |
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vistapoint
Registrado em: 20 de fevereiro de 2005
Posts: 91
Ajudado: 2
| 17 de março de 2005 3:07 Re: Como criar mos um switch de alto desempenho? | | |
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| | Leackage está sempre lá. O problema é quanto. |
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